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    ESD原理詳解(二)

    更新時(shí)間:2023-09-25      點(diǎn)擊次數(shù):1871

    上期講了HBM,MM,CDM三種芯片級(jí)ESD事件,這期講一下系統(tǒng)級(jí)ESD事件:空氣放電,接觸放電,浪涌,熱插拔這幾種ESD事件,其中氣放電,接觸放電是由IEC61000-4-2進(jìn)行解釋,而浪涌是由IEC61000-4-5進(jìn)行解釋。

    一.系統(tǒng)級(jí)ESD事件類別:

    1.接觸放電:

          實(shí)驗(yàn)設(shè)備的電極與被測(cè)設(shè)備直接接觸。

    2.空氣放電:

          實(shí)驗(yàn)設(shè)備的電極靠近被測(cè)設(shè)備,由火花對(duì)被測(cè)設(shè)備進(jìn)行放電。

    接觸放電和空氣放電測(cè)試的是儀器設(shè)備在使用過(guò)程中與另一帶電儀器可能發(fā)生的靜電事件。

    3.熱插拔:

          在上電情況下,端口或者模塊直接斷開(kāi)或連接,保護(hù)設(shè)備不被過(guò)大電流或電壓損毀。

    4.浪涌:

          具有短上升時(shí)間,長(zhǎng)衰減時(shí)間的電流,電壓,功率的瞬態(tài)波形。(transient wave of electrical current, voltage or power propagating along a line or a circuit and characterized by a rapid increase followed by a slower decrease)。浪涌測(cè)試是驗(yàn)證儀器能否承受雷擊或開(kāi)關(guān)通斷時(shí)產(chǎn)生的短時(shí)間的強(qiáng)脈沖。

    二.系統(tǒng)級(jí)ESD事件規(guī)范:

    1.IEC61000-4-2:

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    圖1.GB/T 17626.2-2006/IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)

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    圖2.GB/T 17626.2-2006/IEC 61000-4-2接觸放電和空氣放電測(cè)試等級(jí)。

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    圖3.GB/T 17626.2-2006/IEC 61000-4-2放電測(cè)試波形。

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    圖4.GB/T 17626.2-2006/IEC 61000-4-2接觸放電和空氣放電波形參數(shù)。

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    圖5.GB/T 17626.2-2006/IEC 61000-4-2測(cè)試電路。

    2.IEC61000-4-5:

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    圖6.IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)封面。

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    圖7.IEC61000-4-5浪涌測(cè)試等級(jí)。

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    圖8.IEC61000-4-5浪涌生成電路。

    IEC標(biāo)準(zhǔn)中提到了兩種浪涌模式:一種是1.2/50μs的開(kāi)路電壓條件和8/20μs的短路電流條件。

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    圖9.IEC61000-4-5浪涌測(cè)試波形參數(shù)。

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    圖10.IEC61000-4-5開(kāi)路電壓浪涌波形。

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    圖11.IEC61000-4-5短路電流浪涌波形。

    三.系統(tǒng)級(jí)與芯片級(jí)異同

    1.系統(tǒng)級(jí)ESD事件與芯片級(jí)ESD事件的異同:

    A.芯片級(jí)ESD事件主要針對(duì)的是發(fā)生在芯片上PCB板前的過(guò)程中(生產(chǎn) 、封裝、運(yùn)輸、銷售、上板)這類ESD事件完()全需要由芯片自己承受。系統(tǒng)級(jí)ESD事件是針對(duì)整個(gè)系統(tǒng)而言(PCB級(jí)),這類ESD事件需要整個(gè)系統(tǒng)協(xié)同完成。

    B.系統(tǒng)級(jí)ESD事件的電壓電流強(qiáng)度都遠(yuǎn)強(qiáng)于芯片級(jí)。

    系統(tǒng)級(jí)ESD防護(hù)設(shè)計(jì)與芯片級(jí)ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的異同:

    A.芯片級(jí)ESD防護(hù)與核心電路都是在同一wafer下流片,所以防護(hù)能力與工藝是強(qiáng)相關(guān),線寬越小ESD魯棒性越差,且受foundry工藝影響很大,不同foundry的工藝流程不同,造成ESD設(shè)計(jì)的互通性很差。芯片級(jí)ESD設(shè)計(jì)更多考驗(yàn)的是工程師對(duì)于器件結(jié)構(gòu)與版圖的理解,在有限的面積與其它約束下盡可能保證核心電路不在ESD事件中損壞。

    B.系統(tǒng)級(jí)ESD防護(hù)雖然要求更高,但是核心元器件和ESD防護(hù)元器件是分立的,可以針對(duì)要求采用不同的ESD防護(hù)器件。常見(jiàn)的有TVS和ESD陣列防護(hù)芯片,工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中可以忽略ESD元器件的工作原理,直接進(jìn)行黑盒設(shè)計(jì)而且可替換性強(qiáng),芯片級(jí)ESD防護(hù)器件與芯片本身是共生關(guān)系,一榮俱榮,一損俱損。而系統(tǒng)級(jí)ESD防護(hù)元器件與被保護(hù)元器件相對(duì)獨(dú)立,相互影響較小。

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